BC858CLT1G, Биполярный транзистор, PNP, -30 В, 200 МГц

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

13,00 руб.

Артикул: 1124829 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	13,00руб.	12,09руб.	11,70руб.	11,44руб.	10,66руб.	10,40руб.	10,14руб.	9,36руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	23,53руб.	21,58руб.	21,19руб.	20,67руб.	19,24руб.	18,85руб.	18,33руб.	16,51руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	30,42руб.	28,08руб.	27,43руб.	26,78руб.	24,96руб.	24,31руб.	23,79руб.	21,32руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	15,60руб.	14,30руб.	14,04руб.	13,65руб.	12,74руб.	12,48руб.	12,09руб.	10,92руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	30,03руб.	27,69руб.	27,04руб.	26,39руб.	25,61руб.	24,70руб.	23,40руб.	21,06руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

BC858CLT1G, Биполярный транзистор, PNP, -30 В, 200 МГц The BC858CLT1G is a PNP general purpose Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.

• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Дополнительная информация

Корпус	sot23
Структура	pnp
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	520
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	0.33