47

IRF3808PBF, Транзистор, N-канал 75В 140А авто [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

82,00 руб.

x 82,00 = 82,00
Артикул: 1125889 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней82,00руб.76,26руб.73,80руб.72,16руб.67,24руб.65,60руб.63,96руб.59,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней148,42руб.136,12руб.133,66руб.130,38руб.121,36руб.118,90руб.115,62руб.104,14руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней191,88руб.177,12руб.173,02руб.168,92руб.157,44руб.153,34руб.150,06руб.134,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней98,40руб.90,20руб.88,56руб.86,10руб.80,36руб.78,72руб.76,26руб.68,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней189,42руб.174,66руб.170,56руб.166,46руб.161,54руб.155,80руб.147,60руб.132,84руб.

Характеристики

IRF3808PBF, Транзистор, N-канал 75В 140А авто [TO-220AB]The IRF3808PBF is a HEXFET® single N-channel advanced planar stripe Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. It features 175 C junction operating temperature, low junction-to-case, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. This combination makes the design an extremely efficient and reliable choice for use in a wide variety of applications.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал