7

IRF520NPBF, Транзистор, N-канал 100В 9.7А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

31,00 руб.

x 31,00 = 31,00
Артикул: 1125895 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней31,00руб.28,83руб.27,90руб.27,28руб.25,42руб.24,80руб.24,18руб.22,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней56,11руб.51,46руб.50,53руб.49,29руб.45,88руб.44,95руб.43,71руб.39,37руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней72,54руб.66,96руб.65,41руб.63,86руб.59,52руб.57,97руб.56,73руб.50,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней37,20руб.34,10руб.33,48руб.32,55руб.30,38руб.29,76руб.28,83руб.26,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней71,61руб.66,03руб.64,48руб.62,93руб.61,07руб.58,90руб.55,80руб.50,22руб.

Характеристики

IRF520NPBF, Транзистор, N-канал 100В 9.7А [TO-220AB]The IRF520NPBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Dynamic dv/dt rating
• Fully avalanche rated
• Advanced process technology

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал