IRF5210SPBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [D2-PAK]

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

67,00 руб.

Артикул: 1125898 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	67,00руб.	62,31руб.	60,30руб.	58,96руб.	54,94руб.	53,60руб.	52,26руб.	48,24руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	121,27руб.	111,22руб.	109,21руб.	106,53руб.	99,16руб.	97,15руб.	94,47руб.	85,09руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	156,78руб.	144,72руб.	141,37руб.	138,02руб.	128,64руб.	125,29руб.	122,61руб.	109,88руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	80,40руб.	73,70руб.	72,36руб.	70,35руб.	65,66руб.	64,32руб.	62,31руб.	56,28руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	154,77руб.	142,71руб.	139,36руб.	136,01руб.	131,99руб.	127,30руб.	120,60руб.	108,54руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF5210SPBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [D2-PAK]The IRF5210SPBF is a -100V single P-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology. It features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for wide variety of other applications.

• Advanced process technology
• Ultra low on-resistance
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
• 150 C Operating temperature

Дополнительная информация

Корпус	d2pak
Структура	p-канал