IRF7103TRPBF, Транзистор N-CH 50V 3A [SOIC-8]

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

19,00 руб.

Артикул: 1125951 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	19,00руб.	17,67руб.	17,10руб.	16,72руб.	15,58руб.	15,20руб.	14,82руб.	13,68руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	34,39руб.	31,54руб.	30,97руб.	30,21руб.	28,12руб.	27,55руб.	26,79руб.	24,13руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	44,46руб.	41,04руб.	40,09руб.	39,14руб.	36,48руб.	35,53руб.	34,77руб.	31,16руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	22,80руб.	20,90руб.	20,52руб.	19,95руб.	18,62руб.	18,24руб.	17,67руб.	15,96руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	43,89руб.	40,47руб.	39,52руб.	38,57руб.	37,43руб.	36,10руб.	34,20руб.	30,78руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF7103TRPBF, Транзистор N-CH 50V 3A [SOIC-8]The IRF7103TRPBF is a dual N-channel MOSFET designed for vapour phase, infrared or wave soldering techniques. It has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Advanced process technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching performance