IRFD220PBF, Транзистор, N-канал 200В 0.8А [HD1]

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

45,00 руб.

Артикул: 1126710 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	45,00руб.	41,85руб.	40,50руб.	39,60руб.	36,90руб.	36,00руб.	35,10руб.	32,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	81,45руб.	74,70руб.	73,35руб.	71,55руб.	66,60руб.	65,25руб.	63,45руб.	57,15руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	105,30руб.	97,20руб.	94,95руб.	92,70руб.	86,40руб.	84,15руб.	82,35руб.	73,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	54,00руб.	49,50руб.	48,60руб.	47,25руб.	44,10руб.	43,20руб.	41,85руб.	37,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	103,95руб.	95,85руб.	93,60руб.	91,35руб.	88,65руб.	85,50руб.	81,00руб.	72,90руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFD220PBF, Транзистор, N-канал 200В 0.8А [HD1]The IRFD220PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.

• Dynamic dV/dt rating
• For automatic insertion
• End stackable
• Repetitive avalanche rated
• Ease of paralleling
• Simple drive requirements