2

IRF7104TRPBF, МОП-транзистор, 2P-канала 20В 2.3А [SO-8]

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

22,00 руб.

x 22,00 = 22,00
Артикул: 1127069 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней22,00руб.20,46руб.19,80руб.19,36руб.18,04руб.17,60руб.17,16руб.15,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней39,82руб.36,52руб.35,86руб.34,98руб.32,56руб.31,90руб.31,02руб.27,94руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней51,48руб.47,52руб.46,42руб.45,32руб.42,24руб.41,14руб.40,26руб.36,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней26,40руб.24,20руб.23,76руб.23,10руб.21,56руб.21,12руб.20,46руб.18,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней50,82руб.46,86руб.45,76руб.44,66руб.43,34руб.41,80руб.39,60руб.35,64руб.

Характеристики

IRF7104TRPBF, МОП-транзистор, 2P-канала 20В 2.3А [SO-8]The IRF7104TRPBF is a dual P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Advanced process technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching performance

Дополнительная информация

Корпус

so-8
Структура

2p-канала