42

BSC035N04LSGATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 40 В

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

98,00 руб.

x 98,00 = 98,00
Артикул: 1133465 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней98,00руб.91,14руб.88,20руб.86,24руб.80,36руб.78,40руб.76,44руб.70,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней177,38руб.162,68руб.159,74руб.155,82руб.145,04руб.142,10руб.138,18руб.124,46руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней229,32руб.211,68руб.206,78руб.201,88руб.188,16руб.183,26руб.179,34руб.160,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней117,60руб.107,80руб.105,84руб.102,90руб.96,04руб.94,08руб.91,14руб.82,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней226,38руб.208,74руб.203,84руб.198,94руб.193,06руб.186,20руб.176,40руб.158,76руб.

Характеристики

BSC035N04LSGATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 40 В The BSC035N04LS G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). In addition it can be used for a broad range of industrial applications including fast switching DC-to-DC converter.

• Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
• Very low ON-resistance RDS (ON)
• Ideal for fast switching applications
• MSL1 rated
• Highest system efficiency
• Less paralleling required
• Increased power density
• Very low voltage overshoot
• Logic level
• Superior thermal resistance
• 100% Avalanche tested
• Halogen-free, Green device
• Qualified according to JEDEC for target applications

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TDSON
Рассеиваемая Мощность

69Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

40В
Непрерывный Ток Стока

100А