dfe638af3920b9256a04d27b730f0a4a

FDA38N30, МОП-транзистор, N Канал, 38 А, 300 В, 0.07 Ом

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

270,00 руб.

x 270,00 = 270,00
Артикул: 1133837 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней270,00руб.251,10руб.243,00руб.237,60руб.229,50руб.216,00руб.210,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней507,60руб.467,10руб.459,00руб.448,20руб.432,00руб.407,70руб.396,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней515,70руб.475,20руб.464,40руб.453,60руб.432,00руб.410,40руб.402,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней324,00руб.297,00руб.291,60руб.283,50руб.275,40руб.259,20руб.251,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней469,80руб.432,00руб.421,20руб.413,10руб.399,60руб.375,30руб.364,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней294,30руб.272,70руб.264,60руб.259,20руб.251,10руб.234,90руб.229,50руб.

Характеристики

FDA38N30, МОП-транзистор, N Канал, 38 А, 300 В, 0.07 Ом The FDA38N30 is an UniFET™ N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s high voltage planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

• 60nC Typical low gate charge
• 60pF Typical low Crss
• 100% Avalanche tested
• ESD Improved capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-204AA
Рассеиваемая Мощность

312Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

300В
Непрерывный Ток Стока

38А