FDME410NZT, МОП-транзистор, N Канал, 7 А, 20 В, 0.019 Ом

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

66,00 руб.

Артикул: 1133893 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	66,00руб.	61,38руб.	59,40руб.	58,08руб.	54,12руб.	52,80руб.	51,48руб.	47,52руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	119,46руб.	109,56руб.	107,58руб.	104,94руб.	97,68руб.	95,70руб.	93,06руб.	83,82руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	154,44руб.	142,56руб.	139,26руб.	135,96руб.	126,72руб.	123,42руб.	120,78руб.	108,24руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	79,20руб.	72,60руб.	71,28руб.	69,30руб.	64,68руб.	63,36руб.	61,38руб.	55,44руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	152,46руб.	140,58руб.	137,28руб.	133,98руб.	130,02руб.	125,40руб.	118,80руб.	106,92руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

FDME410NZT, МОП-транзистор, N Канал, 7 А, 20 В, 0.019 Ом The FDME410NZT is a single N-channel MOSFET designed using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process to optimize the RDS (ON) @ VGS = 1.5V on special MicroFET lead-frame. It is suitable for Li-ion battery pack, base band switch and load switch applications.

• Halogen-free
• >1800V HBM ESD protection level

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	uFET
Рассеиваемая Мощность	2.1Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	20В
Непрерывный Ток Стока	7А