FDS5670, МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 60 В, 14 мОм, 10 В, 2.4 В

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

190,00 руб.

Артикул: 1133957 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	190,00руб.	176,70руб.	171,00руб.	167,20руб.	161,50руб.	152,00руб.	148,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	357,20руб.	328,70руб.	323,00руб.	315,40руб.	304,00руб.	286,90руб.	279,30руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	362,90руб.	334,40руб.	326,80руб.	319,20руб.	304,00руб.	288,80руб.	283,10руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	228,00руб.	209,00руб.	205,20руб.	199,50руб.	193,80руб.	182,40руб.	176,70руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	330,60руб.	304,00руб.	296,40руб.	290,70руб.	281,20руб.	264,10руб.	256,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	207,10руб.	191,90руб.	186,20руб.	182,40руб.	176,70руб.	165,30руб.	161,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

FDS5670, МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 60 В, 14 мОм, 10 В, 2.4 ВThe FDS5670 is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process. It designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS (ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies) and DC-to-DC power supply designs with higher overall efficiency.

• Low gate charge
• Fast switching speed
• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	SOIC
Рассеиваемая Мощность	2.5Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	10а