1925

FDS6630A, МОП-транзистор, N Канал, 6.5 А, 30 В, 38 мОм

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

52,00 руб.

x 52,00 = 52,00
Артикул: 1133961 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней52,00руб.48,36руб.46,80руб.45,76руб.42,64руб.41,60руб.40,56руб.37,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней94,12руб.86,32руб.84,76руб.82,68руб.76,96руб.75,40руб.73,32руб.66,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней121,68руб.112,32руб.109,72руб.107,12руб.99,84руб.97,24руб.95,16руб.85,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней62,40руб.57,20руб.56,16руб.54,60руб.50,96руб.49,92руб.48,36руб.43,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней120,12руб.110,76руб.108,16руб.105,56руб.102,44руб.98,80руб.93,60руб.84,24руб.

Характеристики

FDS6630A, МОП-транзистор, N Канал, 6.5 А, 30 В, 38 мОм The FDS6630A is a single N-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

• Fast switching speed
• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability
• 5nC Typical low gate charge

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC
Рассеиваемая Мощность

2.5Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

30В
Непрерывный Ток Стока

6.5А