FDT457N, МОП-транзистор, N Канал, 5 А, 30 В, 0.043 Ом, 10 В

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

81,00 руб.

Артикул: 1133980 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	81,00руб.	75,33руб.	72,90руб.	71,28руб.	66,42руб.	64,80руб.	63,18руб.	58,32руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	146,61руб.	134,46руб.	132,03руб.	128,79руб.	119,88руб.	117,45руб.	114,21руб.	102,87руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	189,54руб.	174,96руб.	170,91руб.	166,86руб.	155,52руб.	151,47руб.	148,23руб.	132,84руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	97,20руб.	89,10руб.	87,48руб.	85,05руб.	79,38руб.	77,76руб.	75,33руб.	68,04руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	187,11руб.	172,53руб.	168,48руб.	164,43руб.	159,57руб.	153,90руб.	145,80руб.	131,22руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

FDT457N, МОП-транзистор, N Канал, 5 А, 30 В, 0.043 Ом, 10 В The FDT457N is a 30V N-channel enhancement mode Field Effect Transistor produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. It is well suited to low voltage, low current applications such as notebook computer power management, battery powered circuits and DC motor control. This product is general usage and suitable for many different applications.

• High density cell design for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability
• ±20V Continuous gate source voltage (VGSS)
• 42 C/W Thermal resistance, junction to ambient
• 12 C/W Thermal resistance, junction to case

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	4вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	SOT-223
Рассеиваемая Мощность	3Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	5а