16

IRFR210PBF, МОП-транзистор, N Канал, 2.6 А, 200 В, 1.5 Ом

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

76,00 руб.

x 76,00 = 76,00
Артикул: 1134443 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней76,00руб.70,68руб.68,40руб.66,88руб.62,32руб.60,80руб.59,28руб.54,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней137,56руб.126,16руб.123,88руб.120,84руб.112,48руб.110,20руб.107,16руб.96,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней177,84руб.164,16руб.160,36руб.156,56руб.145,92руб.142,12руб.139,08руб.124,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней91,20руб.83,60руб.82,08руб.79,80руб.74,48руб.72,96руб.70,68руб.63,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней175,56руб.161,88руб.158,08руб.154,28руб.149,72руб.144,40руб.136,80руб.123,12руб.

Характеристики

IRFR210PBF, МОП-транзистор, N Канал, 2.6 А, 200 В, 1.5 Ом The IRFR210PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The DPAK is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.

• Dynamic dV/dt rating
• Ease of paralleling
• Surface-mount
• Repetitive avalanche rated

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252
Рассеиваемая Мощность

25Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

200В
Непрерывный Ток Стока

2.6А