IRFR9210PBF, МОП-транзистор, P Канал, -1.9 А, -200 В, 3 Ом

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

84,00 руб.

Артикул: 1134486 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	84,00руб.	78,12руб.	75,60руб.	73,92руб.	68,88руб.	67,20руб.	65,52руб.	60,48руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	152,04руб.	139,44руб.	136,92руб.	133,56руб.	124,32руб.	121,80руб.	118,44руб.	106,68руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	196,56руб.	181,44руб.	177,24руб.	173,04руб.	161,28руб.	157,08руб.	153,72руб.	137,76руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	100,80руб.	92,40руб.	90,72руб.	88,20руб.	82,32руб.	80,64руб.	78,12руб.	70,56руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	194,04руб.	178,92руб.	174,72руб.	170,52руб.	165,48руб.	159,60руб.	151,20руб.	136,08руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRFR9210PBF, МОП-транзистор, P Канал, -1.9 А, -200 В, 3 Ом The IRFR9210PBF is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The DPAK is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Surface-mount

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-252
Рассеиваемая Мощность	25Вт
Полярность Транзистора	P Канал
Напряжение Истока-стока Vds	-200В
Непрерывный Ток Стока	-1.9А