52н

IRLL3303PBF, МОП-транзистор, N Канал, 4.6 А, 30 В, 31 мОм

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

89,00 руб.

x 89,00 = 89,00
Артикул: 1134566 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней89,00руб.82,77руб.80,10руб.78,32руб.72,98руб.71,20руб.69,42руб.64,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней161,09руб.147,74руб.145,07руб.141,51руб.131,72руб.129,05руб.125,49руб.113,03руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней208,26руб.192,24руб.187,79руб.183,34руб.170,88руб.166,43руб.162,87руб.145,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней106,80руб.97,90руб.96,12руб.93,45руб.87,22руб.85,44руб.82,77руб.74,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней205,59руб.189,57руб.185,12руб.180,67руб.175,33руб.169,10руб.160,20руб.144,18руб.

Характеристики

IRLL3303PBF, МОП-транзистор, N Канал, 4.6 А, 30 В, 31 мОм The IRLL3303PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques.

• Dynamic dV/dt rating
• Logic level gate drive
• Ease of paralleling
• Advanced process technology
• Ultra-low ON-resistance
• Low static drain-to-source ON-resistance

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-223
Рассеиваемая Мощность

2.1Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

30В
Непрерывный Ток Стока

4.6А