c0414c7ece47da6967c24cd618d45fe9

IXFH30N50P, МОП-транзистор, PolarFET, N Канал, 30 А, 500 В

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

700,00 руб.

x 700,00 = 700,00
Артикул: 1134614 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней700,00руб.651,00руб.630,00руб.616,00руб.595,00руб.560,00руб.546,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.316,00руб.1.211,00руб.1.190,00руб.1.162,00руб.1.120,00руб.1.057,00руб.1.029,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.337,00руб.1.232,00руб.1.204,00руб.1.176,00руб.1.120,00руб.1.064,00руб.1.043,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней840,00руб.770,00руб.756,00руб.735,00руб.714,00руб.672,00руб.651,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней1.218,00руб.1.120,00руб.1.092,00руб.1.071,00руб.1.036,00руб.973,00руб.945,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней763,00руб.707,00руб.686,00руб.672,00руб.651,00руб.609,00руб.595,00руб.

Характеристики

IXFH30N50P, МОП-транзистор, PolarFET, N Канал, 30 А, 500 В The IXFH30N50P is a 500V N-channel Enhancement Mode PolarHV™ Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™) and reduced RDS (on). The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.

• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
• Low inductance offers easy to drive and protect
• Easy to mount
• Space-saving s
• High power density

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-247
Рассеиваемая Мощность

460Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

500в
Непрерывный Ток Стока

30а