67

NDS9407, МОП-транзистор, P Канал, 3 А, -60 В, 150 мОм

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

89,00 руб.

x 89,00 = 89,00
Артикул: 1134678 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней89,00руб.82,77руб.80,10руб.78,32руб.72,98руб.71,20руб.69,42руб.64,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней161,09руб.147,74руб.145,07руб.141,51руб.131,72руб.129,05руб.125,49руб.113,03руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней208,26руб.192,24руб.187,79руб.183,34руб.170,88руб.166,43руб.162,87руб.145,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней106,80руб.97,90руб.96,12руб.93,45руб.87,22руб.85,44руб.82,77руб.74,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней205,59руб.189,57руб.185,12руб.180,67руб.175,33руб.169,10руб.160,20руб.144,18руб.

Характеристики

NDS9407, МОП-транзистор, P Канал, 3 А, -60 В, 150 мОм The NDS9407 is a P-channel MOSFET produced using rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gate drive voltage ratings (4.5 to 20V). It is suitable for load switch and battery protection applications.

• Low gate charge
• Fast switching speed
• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC
Рассеиваемая Мощность

2.5Вт
Полярность Транзистора

P Канал
Напряжение Истока-стока Vds

-60В
Непрерывный Ток Стока

3А