7

NTGD1100LT1G, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 8 В

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

52,00 руб.

x 52,00 = 52,00
Артикул: 1134704 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней52,00руб.48,36руб.46,80руб.45,76руб.42,64руб.41,60руб.40,56руб.37,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней94,12руб.86,32руб.84,76руб.82,68руб.76,96руб.75,40руб.73,32руб.66,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней121,68руб.112,32руб.109,72руб.107,12руб.99,84руб.97,24руб.95,16руб.85,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней62,40руб.57,20руб.56,16руб.54,60руб.50,96руб.49,92руб.48,36руб.43,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней120,12руб.110,76руб.108,16руб.105,56руб.102,44руб.98,80руб.93,60руб.84,24руб.

Характеристики

NTGD1100LT1G, Двойной МОП-транзистор, N и P Канал, 8 В Dual N/P-Channel MOSFET, ON SemiconductorПолупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

6вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TSOP
Рассеиваемая Мощность

830мВт
Полярность Транзистора

N и P Канал
Напряжение Истока-стока Vds

8В