Кремниевый МОП-транзистор обеспечивает напряжение 150 В и 200 В с лучшим в отрасли методом FoM

Технология SuperQ от iDEAL Semiconductor запущена в серийное производство, первыми продуктами стали 150-вольтовые МОП-транзисторы. Семейство 200-вольтовых МОП-транзисторов является методом отбора проб.

SuperQ — это первое заметное достижение в разработке кремниевых МОП-транзисторов за более чем четверть века, обеспечивающее непревзойденную производительность и эффективность в кремниевых устройствах питания. Архитектура преодолевает фундаментальные барьеры кремния для коммутации и проводимости. Он почти в два раза увеличивает область n-проводимости (до 95%) и снижает потери при переключении до 2,1 раза по сравнению с конкурирующими устройствами.

Структура также повышает устойчивость и потери мощности, сохраняя при этом преимущества кремния, включая его прочность, технологичность в больших объемах и доказанную надежность при номинальном значении перехода 175C.

Первым продуктом в серии 150-вольтовых МОП-транзисторов компании, iS15M7R1S1C, является МОП-транзистор 6,4 мОм. Он доступен сразу в упаковке 5 мм x 6 мм в формате PDFN. Корпус SMT оснащен открытыми проводами для упрощения сборки и повышения надежности на уровне платы.

Семейство 200 В включает в себя iS20M6R1S1T, 6,1 мОм MOSFET в корпусе TOLL 11,5 мм x 9,7 мм. Он имеет RDSon 6,1 мОм, что на 10% ниже, чем у нынешнего лидера отрасли, и на 36% ниже, чем у следующего лучшего конкурента. Компания также проводит выборку 200-вольтовых МОП-транзисторов в корпусах TOLL, TO-220, D2PAK-7L и PDFN.

В скором времени появятся платформы 300 В и 400 В MOSFET — классы напряжения, которые не обслуживаются современными кремниевыми технологиями. Будущие устройства компании спроектированы таким образом, чтобы обеспечить значительно более низкое сопротивление по сравнению с существующими решениями, что открывает новые возможности для повышения эффективности и производительности.

«В течение последней четверти века отрасль полагалась на технологии Reduced Surface Field (RESURF), такие как Superjunction, но производительность этих архитектур стабилизировалась. Для достижения необходимого выигрыша в энергоснабжении и эффективности требуется новая архитектура, и это SuperQ», — сказал Марк Гранахан, генеральный директор и соучредитель iDEAL Semiconductor.

«Спрос на высокопроизводительные решения по энергоснабжению никогда не был так велик. SuperQ позволит использовать новые критически важные приложения, начиная от промышленной автоматизации, центров обработки данных с искусственным интеллектом и заканчивая мировыми тенденциями электрификации. Сегодня iDEAL объявляет о новых уровнях затрат и производительности для конструкторского инструментария при напряжении 150 В – 400 В, которых просто не существовало».

Эта инновация предназначена для МОП-транзисторов, IGBT, диодов, силовых микросхем и даже будущих полупроводниковых материалов, позиционируя SuperQ как основополагающую технологию для следующей эры силовой электроники.