МОП-транзисторы в корпусе Q-DPAK обеспечивают более высокую плотность мощности для промышленного применения

Компания Infineon Technologies AG выпустила МОП-транзисторы CoolSiC 1200V G2 в корпусе Q-DPAK с верхним охлаждением (TSC). Новые устройства обеспечивают оптимизированные тепловые характеристики, эффективность системы и плотность мощности. Они были специально разработаны для требовательных промышленных приложений, требующих высокой производительности и надежности, таких как зарядные устройства для электромобилей, солнечные инверторы, ИБП, моторные приводы и твердотельные автоматические выключатели.

Новая технология CoolSiC 1200V G2 обеспечивает значительные улучшения по сравнению с предыдущим поколением, позволяя снизить потери при переключении на 25% для эквивалентных устройств RDS(on), тем самым повышая эффективность системы до 0,1%. Использование усовершенствованной компанией домена . Технология межсоединений XT позволяет устройствам G2 достичь более чем на 15% более низкого теплового сопротивления и снижения температуры MOSFET на 11% по сравнению с продуктами семейства G1. Выдающиеся значения RDS(on) в диапазоне от 4 мОм до 78 мОм, а также широкий ассортимент продукции позволяют разработчикам гибко оптимизировать производительность системы для своих целевых приложений. Кроме того, новая технология поддерживает работу при перегрузке до температуры перехода (Tvj) 200 °C и обеспечивает высокую устойчивость к паразитным включениям, обеспечивая надежную работу в динамичных и сложных условиях.

МОП-транзисторы CoolSiC 1200 В G2 доступны в двух конфигурациях Q-DPAK: с одним переключателем и с двойным полумостом. Оба варианта являются частью более широкой платформы охлаждения X-DPAK с верхней стороны. Благодаря стандартизированной высоте корпуса 2,3 мм во всех вариантах TSC, включая Q-DPAK и TOLT, платформа обеспечивает гибкость проектирования и позволяет клиентам масштабировать и комбинировать различные продукты в рамках одного блока радиатора. Такая гибкость конструкции упрощает разработку передовых систем электроснабжения, облегчая заказчикам настройку и масштабирование своих решений.

Комплект Q-DPAK улучшает тепловые характеристики, обеспечивая прямой отвод тепла от верхней поверхности устройства к радиатору. Этот прямой тепловой тракт обеспечивает исключительно лучшую эффективность теплопередачи по сравнению с обычными корпусами с нижним охлаждением, что позволяет создавать более компактные конструкции. Кроме того, компоновка корпуса Q-DPAK позволяет свести к минимуму паразитную индуктивность, что имеет решающее значение для более высоких скоростей переключения. Это повышает эффективность системы и снижает риск превышения напряжения. Компактность корпуса позволяет создавать компактные системы, а совместимость с автоматизированными процессами сборки упрощает производство, обеспечивая экономичность и масштабируемость.

CoolSiC MOSFET 1200V G2 в вариантах Q-DPAK с одним переключателем и двойным полумостом уже доступны.