52н

AUIRFR4620, МОП-транзистор, N Канал, 24 А, 200 В, 0.064 Ом

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

220,00 руб.

x 220,00 = 220,00
Артикул: 1133400 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней220,00руб.204,60руб.198,00руб.193,60руб.187,00руб.176,00руб.171,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней413,60руб.380,60руб.374,00руб.365,20руб.352,00руб.332,20руб.323,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней420,20руб.387,20руб.378,40руб.369,60руб.352,00руб.334,40руб.327,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней264,00руб.242,00руб.237,60руб.231,00руб.224,40руб.211,20руб.204,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней382,80руб.352,00руб.343,20руб.336,60руб.325,60руб.305,80руб.297,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней239,80руб.222,20руб.215,60руб.211,20руб.204,60руб.191,40руб.187,00руб.

Характеристики

AUIRFR4620, МОП-транзистор, N Канал, 24 А, 200 В, 0.064 Ом The AUIRFR4620 is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175 C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252AA
Рассеиваемая Мощность

144Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

200В
Непрерывный Ток Стока

24А