11

BC858CLT1G, Биполярный транзистор, PNP, -30 В, 200 МГц

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

13,00 руб.

x 13,00 = 13,00
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней13,00руб.12,09руб.11,70руб.11,44руб.10,66руб.10,40руб.10,14руб.9,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней23,53руб.21,58руб.21,19руб.20,67руб.19,24руб.18,85руб.18,33руб.16,51руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней30,42руб.28,08руб.27,43руб.26,78руб.24,96руб.24,31руб.23,79руб.21,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней15,60руб.14,30руб.14,04руб.13,65руб.12,74руб.12,48руб.12,09руб.10,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней30,03руб.27,69руб.27,04руб.26,39руб.25,61руб.24,70руб.23,40руб.21,06руб.

Характеристики

BC858CLT1G, Биполярный транзистор, PNP, -30 В, 200 МГц The BC858CLT1G is a PNP general purpose Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.

• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Дополнительная информация

Корпус

sot23

Структура

pnp

Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

0.1

Статический коэффициент передачи тока h21э мин

520

Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт

0.33