11

BCR135E6327HTSA1, Транзистор NPN DGTL AF [SOT-23] (WJs)

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

4,00 руб.

x 4,00 = 4,00
Артикул: 1123282 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней4,00руб.3,72руб.3,60руб.3,52руб.3,28руб.3,20руб.3,12руб.2,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней7,24руб.6,64руб.6,52руб.6,36руб.5,92руб.5,80руб.5,64руб.5,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней9,36руб.8,64руб.8,44руб.8,24руб.7,68руб.7,48руб.7,32руб.6,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней4,80руб.4,40руб.4,32руб.4,20руб.3,92руб.3,84руб.3,72руб.3,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней9,24руб.8,52руб.8,32руб.8,12руб.7,88руб.7,60руб.7,20руб.6,48руб.

Характеристики

BCR135E6327HTSA1, Транзистор NPN DGTL AF [SOT-23] (WJs)The BCR 135 E6327 is a NPN silicon digital Bipolar Transistor suitable for switching circuit, inverter and interface circuit driver circuit applications.

• Built-in bias resistor (R1 = 10kR, R2 = 47kR)

Дополнительная информация

Корпус

sot23
Структура

npn
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин

20
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт

0.2
Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter или нажмите кнопку