26

BD679, NPN транзистор, [TO-126]

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

17,00 руб.

x 17,00 = 17,00
Артикул: 1123341 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней17,00руб.15,81руб.15,30руб.14,96руб.13,94руб.13,60руб.13,26руб.12,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней30,77руб.28,22руб.27,71руб.27,03руб.25,16руб.24,65руб.23,97руб.21,59руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней39,78руб.36,72руб.35,87руб.35,02руб.32,64руб.31,79руб.31,11руб.27,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней20,40руб.18,70руб.18,36руб.17,85руб.16,66руб.16,32руб.15,81руб.14,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней39,27руб.36,21руб.35,36руб.34,51руб.33,49руб.32,30руб.30,60руб.27,54руб.

Характеристики

BD679, NPN транзистор, [TO-126]The BD679 is a 60V Silicon NPN Complementary Power Darlington Transistor manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration. Monolithic Darlington configuration with integrated anti parallel collector-emitter diode. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.

• Good hFE linearity
• High fT frequency
• Well-controlled hFE parameter for increased reliability

Дополнительная информация

Корпус

to126
Структура

npn
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин

750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт

40
Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter или нажмите кнопку