17549336e222292bdbae6609d43617d8

BSC030N03LSGATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 30 В

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

83,00 руб.

x 83,00 = 83,00
Артикул: 1133458 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней83,00руб.77,19руб.74,70руб.73,04руб.68,06руб.66,40руб.64,74руб.59,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней150,23руб.137,78руб.135,29руб.131,97руб.122,84руб.120,35руб.117,03руб.105,41руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней194,22руб.179,28руб.175,13руб.170,98руб.159,36руб.155,21руб.151,89руб.136,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней99,60руб.91,30руб.89,64руб.87,15руб.81,34руб.79,68руб.77,19руб.69,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней191,73руб.176,79руб.172,64руб.168,49руб.163,51руб.157,70руб.149,40руб.134,46руб.

Характеристики

BSC030N03LSGATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 30 В The BSC030N03LS G is a 30V N-channel Power MOSFET for switched mode power supplies (SMPS). OptiMOS™ 30V MOSFET sets new standards in power density and energy efficiency. This is tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behaviour as well as increased battery life.

• Fast switching MOSFET
• Increased battery lifetime
• Improved EMI behaviour making external snubber networks obsolete
• Saving space
• Reducing power losses
• Superior thermal resistance

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

PG-TDSON
Рассеиваемая Мощность

69Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

30В
Непрерывный Ток Стока

100А