42

BSC042N03LSGATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 93 А, 30 В

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

85,00 руб.

x 85,00 = 85,00
Артикул: 1133466 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней85,00руб.79,05руб.76,50руб.74,80руб.69,70руб.68,00руб.66,30руб.61,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней153,85руб.141,10руб.138,55руб.135,15руб.125,80руб.123,25руб.119,85руб.107,95руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней198,90руб.183,60руб.179,35руб.175,10руб.163,20руб.158,95руб.155,55руб.139,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней102,00руб.93,50руб.91,80руб.89,25руб.83,30руб.81,60руб.79,05руб.71,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней196,35руб.181,05руб.176,80руб.172,55руб.167,45руб.161,50руб.153,00руб.137,70руб.

Характеристики

BSC042N03LSGATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 93 А, 30 В The BSC042N03LS G is an OptiMOS™3 Power MOSFET features optimized technology for DC-to-DC converters.

• Fast switching MOSFET for SMPS
• Qualified according to JEDEC for target applications
• Logic level
• Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
• Very low ON-resistance RDS (ON)
• Superior thermal resistance
• Avalanche rated
• Halogen-free, Green device

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

PG-TDSON
Рассеиваемая Мощность

57Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

30В
Непрерывный Ток Стока

93А