BSC670N25NSFDATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 24 А, 250 В

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

420,00 руб.

Артикул: 1133503 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	420,00руб.	390,60руб.	378,00руб.	369,60руб.	357,00руб.	336,00руб.	327,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	789,60руб.	726,60руб.	714,00руб.	697,20руб.	672,00руб.	634,20руб.	617,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	802,20руб.	739,20руб.	722,40руб.	705,60руб.	672,00руб.	638,40руб.	625,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	504,00руб.	462,00руб.	453,60руб.	441,00руб.	428,40руб.	403,20руб.	390,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	730,80руб.	672,00руб.	655,20руб.	642,60руб.	621,60руб.	583,80руб.	567,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	457,80руб.	424,20руб.	411,60руб.	403,20руб.	390,60руб.	365,40руб.	357,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

BSC670N25NSFDATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 24 А, 250 В The BSC670N25NSFDATMA1 from Infineon is a 250V OptiMOST™3 N-channel power-MOSFET in 8 pin TDSON package. This new OptiMOS™ Fast Diode (FD) Infineon’s latest generation power MOSFETs are optimized for body diode hard commutation, hard switching behaviour, industry’s lowest Rds(on), Q g and Qrr, highest system reliability, system cost reduction, highest efficiency and power density and easy to design products. It is a perfect choice for hard switching applications such as telecom, industrial power supplies, Class D audio amplifiers, motor control for 48V to 110V systems and DC to AC inverter.

• Excellent gate charge x RDS(on) product (figure of merit)
• Very low on-resistance RDS(on)
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
• Drain source voltage VDS is 250V
• Maximum RDS(on) is 67mohm, continuous drain current ID is 24A
• Operating temperature range from -55 C to 175 C
• Power dissipation is 150W
• Maximum gate source voltage VGS is 20V

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	175 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TDSON
Рассеиваемая Мощность	150Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	250в
Непрерывный Ток Стока	24А