11

BSH114,215, МОП-транзистор, N Канал, 500 мА, 100 В, 0.4 Ом

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

20,00 руб.

x 20,00 = 20,00
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней20,00руб.18,60руб.18,00руб.17,60руб.16,40руб.16,00руб.15,60руб.14,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней36,20руб.33,20руб.32,60руб.31,80руб.29,60руб.29,00руб.28,20руб.25,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней46,80руб.43,20руб.42,20руб.41,20руб.38,40руб.37,40руб.36,60руб.32,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней24,00руб.22,00руб.21,60руб.21,00руб.19,60руб.19,20руб.18,60руб.16,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней46,20руб.42,60руб.41,60руб.40,60руб.39,40руб.38,00руб.36,00руб.32,40руб.

Характеристики

BSH114,215, МОП-транзистор, N Канал, 500 мА, 100 В, 0.4 Ом The BSH114.215 is a 100V N-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor uses TrenchMOS™1 technology. Low on resistance and fast switching performance makes this device suitable for use in relays and DC to DC converters applications.

• 150 C Junction temperature
• Low conduction losses

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

sot-23

Рассеиваемая Мощность

830мВт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

100В

Непрерывный Ток Стока

500мА