d85b90e4da28449f6623f8bff5f382a8

BSZ018NE2LSATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 25 В

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

190,00 руб.

x 190,00 = 190,00
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней190,00руб.176,70руб.171,00руб.167,20руб.161,50руб.152,00руб.148,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней357,20руб.328,70руб.323,00руб.315,40руб.304,00руб.286,90руб.279,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней362,90руб.334,40руб.326,80руб.319,20руб.304,00руб.288,80руб.283,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней228,00руб.209,00руб.205,20руб.199,50руб.193,80руб.182,40руб.176,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней330,60руб.304,00руб.296,40руб.290,70руб.281,20руб.264,10руб.256,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней207,10руб.191,90руб.186,20руб.182,40руб.176,70руб.165,30руб.161,50руб.

Характеристики

BSZ018NE2LSATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 25 В The BSZ018NE2LS is a N-channel Power MOSFET with new OptiMOS™ 25V product family, sets new standards in power density and energy efficiency and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest ON-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solution applications. Available in half bridge configuration. It minimizes EMI in the system making external snubber networks obsolete and the products easy to design-in.

• Reduces the number of phases in multiphase converters
• Reduce power losses and increase efficiency for all load conditions
• Save space with smallest packages like CanPAK™
• Optimized for high performance Buck converter (Server, VGA)
• Very Low FOMQOSS for High Frequency SMPS
• Low FOMSW for High Frequency SMPS
• Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
• Very low ON-resistance RDS (ON) @ VGS = 4.5V
• 100% Avalanche tested
• Superior thermal resistance
• Qualified according to JEDE for target applications
• Halogen-free, Green device

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

TSDSON

Рассеиваемая Мощность

69Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

25В

Непрерывный Ток Стока

40А