7937ddee3f2d2e85fa1ea83905481e1e

BSZ22DN20NS3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 7 А, 200 В

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

83,00 руб.

x 83,00 = 83,00
Артикул: 1133569 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней83,00руб.77,19руб.74,70руб.73,04руб.68,06руб.66,40руб.64,74руб.59,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней150,23руб.137,78руб.135,29руб.131,97руб.122,84руб.120,35руб.117,03руб.105,41руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней194,22руб.179,28руб.175,13руб.170,98руб.159,36руб.155,21руб.151,89руб.136,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней99,60руб.91,30руб.89,64руб.87,15руб.81,34руб.79,68руб.77,19руб.69,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней191,73руб.176,79руб.172,64руб.168,49руб.163,51руб.157,70руб.149,40руб.134,46руб.

Характеристики

BSZ22DN20NS3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 7 А, 200 В The BSZ22DN20NS3 G is a N-channel Power MOSFET with performance leading OptiMOS™ benchmark technology. It is perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-to-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters.

• Industry’s lowest RDS (ON)
• Lowest Qg and Qgd
• World’s lowest FOM and MSL 1 rated
• Highest efficiency
• Highest power density
• Minimal device paralleling required
• Environmentally friendly
• Easy-to-design-in products
• Qualified according to JEDEC for target application
• Halogen-free, Green device

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TSDSON
Рассеиваемая Мощность

34Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

200В
Непрерывный Ток Стока

7А