F-серия IGBT модулей Mitsubishi выпускается по trench технологии, которая позволила достигнуть предело низкого напряжения насыщения коллектор-эмиттер: 1.6 В для модулей 600 В и 1.9 В для модулей 1200 В (при температуре перехода 125оС). Также, trench технология использует вертикальное расположение затвора, где движение тока идет по кратчайшему пути, снижая общие потери на проводимость.
Корпус модулей не имеет паяльных соединений, что значительно снижает внутреннюю индуктивность на 1/3 по сравнению с модулями конкурентов. Также, транзисторные сборки F серии отличаются низким уровнем электромагнитных помех.
Все модули имеют интегрированный быстродействующий диод с улучшенными рабочими характеристиками. Токовое зеркало и непрерывное отслеживание тока (RTC схема) снижает значение тока короткого замыкания.
Category
Family
Series
IGBT Type
Trench
Configuration
Single
Voltage — Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 600A
Current — Collector (Ic) (Max)
600A
Current — Collector Cutoff (Max)
2mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
230nF @ 10V
Power — Max
2400W
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Mounting Type
Chassis Mount
Package Case
Module
Supplier Device Package
Module
Дополнительная информация
Бренд
Mitsubishi
Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter или нажмите кнопку
Личный кабинет
Загрузка