16

FDB2614, МОП-транзистор, N Канал, 62 А, 200 В, 22.9 мОм

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

450,00 руб.

x 450,00 = 450,00
Артикул: 1133849 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней450,00руб.418,50руб.405,00руб.396,00руб.382,50руб.360,00руб.351,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней846,00руб.778,50руб.765,00руб.747,00руб.720,00руб.679,50руб.661,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней859,50руб.792,00руб.774,00руб.756,00руб.720,00руб.684,00руб.670,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней540,00руб.495,00руб.486,00руб.472,50руб.459,00руб.432,00руб.418,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней783,00руб.720,00руб.702,00руб.688,50руб.666,00руб.625,50руб.607,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней490,50руб.454,50руб.441,00руб.432,00руб.418,50руб.391,50руб.382,50руб.

Характеристики

FDB2614, МОП-транзистор, N Канал, 62 А, 200 В, 22.9 мОм The FDB2614 is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process. It has been tailored to minimize the ON-state resistance while maintaining superior switching performance. It is suitable for use in synchronous rectification and battery protection circuit.

• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• Low gate charge
• High power and current handing capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

2вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263
Рассеиваемая Мощность

260Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

200В
Непрерывный Ток Стока

62А