16

Транзистор FDB8832, Обновлен дата код. Проверено

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

200,00 руб.

x 200,00 = 200,00
Артикул: 1127912 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней200,00руб.186,00руб.180,00руб.176,00руб.170,00руб.160,00руб.156,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней376,00руб.346,00руб.340,00руб.332,00руб.320,00руб.302,00руб.294,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней382,00руб.352,00руб.344,00руб.336,00руб.320,00руб.304,00руб.298,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней240,00руб.220,00руб.216,00руб.210,00руб.204,00руб.192,00руб.186,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней348,00руб.320,00руб.312,00руб.306,00руб.296,00руб.278,00руб.270,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней218,00руб.202,00руб.196,00руб.192,00руб.186,00руб.174,00руб.170,00руб.

Характеристики

FDB8832, Обновлен дата код. ПровереноThe FDB8832 is a logic level N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process. It is suitable for use in starter/alternator systems, electronic power steering systems and DC-to-DC converters.

• Low miller charge
• Low Qrr body diode
• UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: DВ_PAK, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 80 А, 300 Вт, 0.0019 Ом, примечание: Обновлен дата код. Проверено