7

FDC655BN, МОП-транзистор, N Канал, 6.3 А, 30 В, 0.021 Ом

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

37,00 руб.

x 37,00 = 37,00
Артикул: 1133862 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней37,00руб.34,41руб.33,30руб.32,56руб.30,34руб.29,60руб.28,86руб.26,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней66,97руб.61,42руб.60,31руб.58,83руб.54,76руб.53,65руб.52,17руб.46,99руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней86,58руб.79,92руб.78,07руб.76,22руб.71,04руб.69,19руб.67,71руб.60,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней44,40руб.40,70руб.39,96руб.38,85руб.36,26руб.35,52руб.34,41руб.31,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней85,47руб.78,81руб.76,96руб.75,11руб.72,89руб.70,30руб.66,60руб.59,94руб.

Характеристики

FDC655BN, МОП-транзистор, N Канал, 6.3 А, 30 В, 0.021 Ом The FDC655BN is a logic level single N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimized ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

• Fast switching
• Low gate charge
• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

6вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SuperSOT
Рассеиваемая Мощность

800мВт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

30В
Непрерывный Ток Стока

6.3А