16

FDD8778, МОП-транзистор, N Канал, 35 А, 25 В, 0.0116 Ом

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

60,00 руб.

x 60,00 = 60,00
Артикул: 1133879 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней60,00руб.55,80руб.54,00руб.52,80руб.49,20руб.48,00руб.46,80руб.43,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней108,60руб.99,60руб.97,80руб.95,40руб.88,80руб.87,00руб.84,60руб.76,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней140,40руб.129,60руб.126,60руб.123,60руб.115,20руб.112,20руб.109,80руб.98,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней72,00руб.66,00руб.64,80руб.63,00руб.58,80руб.57,60руб.55,80руб.50,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней138,60руб.127,80руб.124,80руб.121,80руб.118,20руб.114,00руб.108,00руб.97,20руб.

Характеристики

FDD8778, МОП-транзистор, N Канал, 35 А, 25 В, 0.0116 Ом The FDD8778 is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process. It has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, fast switching speed and extremely low RDS (ON).

• Low gate charge
• Low gate resistant

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252AA
Рассеиваемая Мощность

39Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

25В
Непрерывный Ток Стока

35А