221b2af29914edc2b0aae8d4a0f7639f

FDM3622, МОП-транзистор, N Канал, 4.4 А, 100 В, 0.044 Ом

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

120,00 руб.

x 120,00 = 120,00
Артикул: 1133886 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней120,00руб.111,60руб.108,00руб.105,60руб.102,00руб.96,00руб.93,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней225,60руб.207,60руб.204,00руб.199,20руб.192,00руб.181,20руб.176,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней229,20руб.211,20руб.206,40руб.201,60руб.192,00руб.182,40руб.178,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней144,00руб.132,00руб.129,60руб.126,00руб.122,40руб.115,20руб.111,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней208,80руб.192,00руб.187,20руб.183,60руб.177,60руб.166,80руб.162,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней130,80руб.121,20руб.117,60руб.115,20руб.111,60руб.104,40руб.102,00руб.

Характеристики

FDM3622, МОП-транзистор, N Канал, 4.4 А, 100 В, 0.044 Ом The FDM3622 is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.

• Low miller charge
• Low Qrr body diode
• Optimized efficiency at high frequencies
• UIS Capability (single pulse and repetitive Pulse Formerly developmental type 82744)

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

Power 33
Рассеиваемая Мощность

2.1Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

100В
Непрерывный Ток Стока

4.4А