FDS6680AS, МОП-транзистор, N Канал, 11.5 А, 30 В, 10 мОм

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

73,00 руб.

Артикул: 1133964 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	73,00руб.	67,89руб.	65,70руб.	64,24руб.	59,86руб.	58,40руб.	56,94руб.	52,56руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	132,13руб.	121,18руб.	118,99руб.	116,07руб.	108,04руб.	105,85руб.	102,93руб.	92,71руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	170,82руб.	157,68руб.	154,03руб.	150,38руб.	140,16руб.	136,51руб.	133,59руб.	119,72руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	87,60руб.	80,30руб.	78,84руб.	76,65руб.	71,54руб.	70,08руб.	67,89руб.	61,32руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	168,63руб.	155,49руб.	151,84руб.	148,19руб.	143,81руб.	138,70руб.	131,40руб.	118,26руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

FDS6680AS, МОП-транзистор, N Канал, 11.5 А, 30 В, 10 мОм The FDS6680AS is a 30V N-channel PowerTrench® SyncFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild’s the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. The high-side switch (Q1) is designed with specific emphasis on reducing switching losses while the low side switch (Q2) is optimized to reduce conduction losses. Q2 also includes an integrated Schottky diode using Fairchild’s monolithic SyncFET technology. This product is general usage and suitable for many different applications.

• Includes SyncFET Schottky body diode
• High performance trench technology for extremely low RDS (on)
• High power and current handling capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	SOIC
Рассеиваемая Мощность	2.5мВт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	11.5А