FDS6690AS, МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 30 В, 0.01 Ом

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

79,00 руб.

Артикул: 1133967 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	79,00руб.	73,47руб.	71,10руб.	69,52руб.	64,78руб.	63,20руб.	61,62руб.	56,88руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	142,99руб.	131,14руб.	128,77руб.	125,61руб.	116,92руб.	114,55руб.	111,39руб.	100,33руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	184,86руб.	170,64руб.	166,69руб.	162,74руб.	151,68руб.	147,73руб.	144,57руб.	129,56руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	94,80руб.	86,90руб.	85,32руб.	82,95руб.	77,42руб.	75,84руб.	73,47руб.	66,36руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	182,49руб.	168,27руб.	164,32руб.	160,37руб.	155,63руб.	150,10руб.	142,20руб.	127,98руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

FDS6690AS, МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 30 В, 0.01 Ом The FDS6690AS is a SyncFET™ N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is designed to replace a single SO-8 MOSFET and Schottky diode in synchronous DC-to-DC power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a low RDS (ON) and low gate charge. It includes an integrated Schottky diode using Fairchild’s monolithic SyncFET technology. The performance is as the low-side switch in a synchronous rectifier is close to the performance of the FDS6690A in parallel with a Schottky diode.

• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability
• 16nC Typical low gate charge

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	SOIC
Рассеиваемая Мощность	2.5Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	10а