1925

FDS8433A, МОП-транзистор, P Канал, 5 А, -20 В, 47 мОм

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

61,00 руб.

x 61,00 = 61,00
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней61,00руб.56,73руб.54,90руб.53,68руб.50,02руб.48,80руб.47,58руб.43,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней110,41руб.101,26руб.99,43руб.96,99руб.90,28руб.88,45руб.86,01руб.77,47руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней142,74руб.131,76руб.128,71руб.125,66руб.117,12руб.114,07руб.111,63руб.100,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней73,20руб.67,10руб.65,88руб.64,05руб.59,78руб.58,56руб.56,73руб.51,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней140,91руб.129,93руб.126,88руб.123,83руб.120,17руб.115,90руб.109,80руб.98,82руб.

Характеристики

FDS8433A, МОП-транзистор, P Канал, 5 А, -20 В, 47 мОм The FDS8433A is a single P-channel enhancement-mode Power FET produced using Fairchild’s proprietary high cell density DMOS technology. This very high density process especially tailored to minimize ON-state resistance and provide superior switching performance. It is suitable for load switch, DC-to-DC converter and battery protection applications.

• Fast switching speed
• High density cell design for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC

Рассеиваемая Мощность

2.5Вт

Полярность Транзистора

P Канал

Напряжение Истока-стока Vds

-20В

Непрерывный Ток Стока