1925

FDS8817NZ, МОП-транзистор, N Канал, 15 А, 30 В, 0.0054 Ом

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

72,00 руб.

x 72,00 = 72,00
Артикул: 1133974 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней72,00руб.66,96руб.64,80руб.63,36руб.59,04руб.57,60руб.56,16руб.51,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней130,32руб.119,52руб.117,36руб.114,48руб.106,56руб.104,40руб.101,52руб.91,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней168,48руб.155,52руб.151,92руб.148,32руб.138,24руб.134,64руб.131,76руб.118,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней86,40руб.79,20руб.77,76руб.75,60руб.70,56руб.69,12руб.66,96руб.60,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней166,32руб.153,36руб.149,76руб.146,16руб.141,84руб.136,80руб.129,60руб.116,64руб.

Характеристики

FDS8817NZ, МОП-транзистор, N Канал, 15 А, 30 В, 0.0054 Ом The FDS8817NZ is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance. It is well suited for load switching applications common in portable battery packs.

• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability
• 3.8kV Typical HBM ESD protection level

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC
Рассеиваемая Мощность

2.5Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

30В
Непрерывный Ток Стока

15А