2

FDT3N40TF, МОП-транзистор, N Канал, 2 А, 400 В, 2.8 Ом, 10 В, 5 В

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

68,00 руб.

x 68,00 = 68,00
Артикул: 1133979 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней68,00руб.63,24руб.61,20руб.59,84руб.55,76руб.54,40руб.53,04руб.48,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней123,08руб.112,88руб.110,84руб.108,12руб.100,64руб.98,60руб.95,88руб.86,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней159,12руб.146,88руб.143,48руб.140,08руб.130,56руб.127,16руб.124,44руб.111,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней81,60руб.74,80руб.73,44руб.71,40руб.66,64руб.65,28руб.63,24руб.57,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней157,08руб.144,84руб.141,44руб.138,04руб.133,96руб.129,20руб.122,40руб.110,16руб.

Характеристики

FDT3N40TF, МОП-транзистор, N Канал, 2 А, 400 В, 2.8 Ом, 10 В, 5 ВThe FDT3N40TF is an UniFET™ N-channel High Voltage MOSFET produced based on Fairchild Semiconductor’s planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce ON-state resistance, provide better switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

• 100% Avalanche tested
• 4.5nC Typical low gate charge
• 3.7pF Typical low Crss

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-223
Рассеиваемая Мощность

2Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

400В
Непрерывный Ток Стока

2А