Заполнитель

FQP30N06, МОП-транзистор, N Канал, 30 А, 60 В, 0.031 Ом

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

110,00 руб.

x 110,00 = 110,00
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней110,00руб.102,30руб.99,00руб.96,80руб.93,50руб.88,00руб.85,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней206,80руб.190,30руб.187,00руб.182,60руб.176,00руб.166,10руб.161,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней210,10руб.193,60руб.189,20руб.184,80руб.176,00руб.167,20руб.163,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней132,00руб.121,00руб.118,80руб.115,50руб.112,20руб.105,60руб.102,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней191,40руб.176,00руб.171,60руб.168,30руб.162,80руб.152,90руб.148,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней119,90руб.111,10руб.107,80руб.105,60руб.102,30руб.95,70руб.93,50руб.

Характеристики

FQP30N06, МОП-транзистор, N Канал, 30 А, 60 В, 0.031 Ом The FQP30N06 is a 60V N-channel QFET® enhancement mode Power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This product is general usage and suitable for many different applications.

• Low gate charge
• 100% Avalanche tested
• Improved system reliability in PFC and soft switching topologies
• Switching loss improvements
• Lower conduction loss
• 175 C Maximum junction temperature rating

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-220AB

Рассеиваемая Мощность

79Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

60В

Непрерывный Ток Стока

30а