Заполнитель

FQPF65N06, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 60 В, 16 мОм, 10 В, 4 В

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

260,00 руб.

x 260,00 = 260,00
Артикул: 1134029 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней260,00руб.241,80руб.234,00руб.228,80руб.221,00руб.208,00руб.202,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней488,80руб.449,80руб.442,00руб.431,60руб.416,00руб.392,60руб.382,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней496,60руб.457,60руб.447,20руб.436,80руб.416,00руб.395,20руб.387,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней312,00руб.286,00руб.280,80руб.273,00руб.265,20руб.249,60руб.241,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней452,40руб.416,00руб.405,60руб.397,80руб.384,80руб.361,40руб.351,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней283,40руб.262,60руб.254,80руб.249,60руб.241,80руб.226,20руб.221,00руб.

Характеристики

FQPF65N06, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 60 В, 16 мОм, 10 В, 4 ВThe FQPF65N06 is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.

• 100% Avalanche tested
• 48nC Typical low gate charge
• 100pF Typical low Crss

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-220F
Рассеиваемая Мощность

56Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

60В
Непрерывный Ток Стока

40А