16

IPD30N03S4L14ATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 30 А, 30 В

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

86,00 руб.

x 86,00 = 86,00
Артикул: 1134109 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней86,00руб.79,98руб.77,40руб.75,68руб.70,52руб.68,80руб.67,08руб.61,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней155,66руб.142,76руб.140,18руб.136,74руб.127,28руб.124,70руб.121,26руб.109,22руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней201,24руб.185,76руб.181,46руб.177,16руб.165,12руб.160,82руб.157,38руб.141,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней103,20руб.94,60руб.92,88руб.90,30руб.84,28руб.82,56руб.79,98руб.72,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней198,66руб.183,18руб.178,88руб.174,58руб.169,42руб.163,40руб.154,80руб.139,32руб.

Характеристики

IPD30N03S4L14ATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 30 А, 30 В The IPD30N03S4L-14 is a N-channel enhancement-mode MOSFET with low switching and conduction power losses for highest thermal efficiency.

• AEC-Q101 qualified
• MSL1 up to 260 C peak reflow
• Green device
• 100% Avalanche tested
• Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
• Ultra low RDS (ON)

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252
Рассеиваемая Мощность

31Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

30В
Непрерывный Ток Стока

30а