IRF100B202, МОП-транзистор, N Канал, 97 А, 100 В, 0.0072 Ом

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

150,00 руб.

Артикул: 1134237 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	150,00руб.	139,50руб.	135,00руб.	132,00руб.	127,50руб.	120,00руб.	117,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	282,00руб.	259,50руб.	255,00руб.	249,00руб.	240,00руб.	226,50руб.	220,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	286,50руб.	264,00руб.	258,00руб.	252,00руб.	240,00руб.	228,00руб.	223,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	180,00руб.	165,00руб.	162,00руб.	157,50руб.	153,00руб.	144,00руб.	139,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	261,00руб.	240,00руб.	234,00руб.	229,50руб.	222,00руб.	208,50руб.	202,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	163,50руб.	151,50руб.	147,00руб.	144,00руб.	139,50руб.	130,50руб.	127,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF100B202, МОП-транзистор, N Канал, 97 А, 100 В, 0.0072 Ом StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon
Infineon’s StrongIRFET family is optimized for low R DS (on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	175 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-220AB
Рассеиваемая Мощность	221Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	100В
Непрерывный Ток Стока	97А