IRF3205STRLPBF, МОП-транзистор, N Канал, 110 А, 55 В

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

140,00 руб.

Артикул: 1134261 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	140,00руб.	130,20руб.	126,00руб.	123,20руб.	119,00руб.	112,00руб.	109,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	263,20руб.	242,20руб.	238,00руб.	232,40руб.	224,00руб.	211,40руб.	205,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	267,40руб.	246,40руб.	240,80руб.	235,20руб.	224,00руб.	212,80руб.	208,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	168,00руб.	154,00руб.	151,20руб.	147,00руб.	142,80руб.	134,40руб.	130,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	243,60руб.	224,00руб.	218,40руб.	214,20руб.	207,20руб.	194,60руб.	189,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	152,60руб.	141,40руб.	137,20руб.	134,40руб.	130,20руб.	121,80руб.	119,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF3205STRLPBF, МОП-транзистор, N Канал, 110 А, 55 В The IRF3205STRLPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The surface-mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible ON-resistance in any existing surface-mount package. It is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	175 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-263
Рассеиваемая Мощность	200Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	55В
Непрерывный Ток Стока	110А