47

IRF3709PBF, МОП-транзистор, N Канал, 90 А, 30 В, 9 мОм, 10 В, 3 В

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

150,00 руб.

x 150,00 = 150,00
Артикул: 1134265 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней150,00руб.139,50руб.135,00руб.132,00руб.127,50руб.120,00руб.117,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней282,00руб.259,50руб.255,00руб.249,00руб.240,00руб.226,50руб.220,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней286,50руб.264,00руб.258,00руб.252,00руб.240,00руб.228,00руб.223,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней180,00руб.165,00руб.162,00руб.157,50руб.153,00руб.144,00руб.139,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней261,00руб.240,00руб.234,00руб.229,50руб.222,00руб.208,50руб.202,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней163,50руб.151,50руб.147,00руб.144,00руб.139,50руб.130,50руб.127,50руб.

Характеристики

IRF3709PBF, МОП-транзистор, N Канал, 90 А, 30 В, 9 мОм, 10 В, 3 ВThe IRF3709PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET offers fully characterized avalanche voltage and current. It is suitable for high frequency isolated DC-to-DC converters with synchronous rectification for telecom use and high frequency buck converters for server processor power synchronous FET. It is also optimized for synchronous buck converters including capacitive induced turn-ON immunity.

• Ultra-low gate impedance
• Low static drain-to-source ON-resistance at 4.5V gate-to-source voltage

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-220AB
Рассеиваемая Мощность

120Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

30В
Непрерывный Ток Стока

90А