2

IRF7103TRPBF, Транзистор N-CH 50V 3A [SOIC-8]

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

19,00 руб.

x 19,00 = 19,00
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней19,00руб.17,67руб.17,10руб.16,72руб.15,58руб.15,20руб.14,82руб.13,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней34,39руб.31,54руб.30,97руб.30,21руб.28,12руб.27,55руб.26,79руб.24,13руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней44,46руб.41,04руб.40,09руб.39,14руб.36,48руб.35,53руб.34,77руб.31,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней22,80руб.20,90руб.20,52руб.19,95руб.18,62руб.18,24руб.17,67руб.15,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней43,89руб.40,47руб.39,52руб.38,57руб.37,43руб.36,10руб.34,20руб.30,78руб.

Характеристики

IRF7103TRPBF, Транзистор N-CH 50V 3A [SOIC-8]The IRF7103TRPBF is a dual N-channel MOSFET designed for vapour phase, infrared or wave soldering techniques. It has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Advanced process technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching performance

Дополнительная информация

Корпус

so8

Структура

2n-канала