2

Транзистор IRF7317PBF, Транзисто, N/P-каналы 20B 6.6А/-5.3A [SO-8]

Поставка электронных компонентов в Екатеринбург

35,00 руб.

x 35,00 = 35,00
Артикул: 1125970 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Екатеринбург уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней35,00руб.32,55руб.31,50руб.30,80руб.28,70руб.28,00руб.27,30руб.25,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней63,35руб.58,10руб.57,05руб.55,65руб.51,80руб.50,75руб.49,35руб.44,45руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней81,90руб.75,60руб.73,85руб.72,10руб.67,20руб.65,45руб.64,05руб.57,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней42,00руб.38,50руб.37,80руб.36,75руб.34,30руб.33,60руб.32,55руб.29,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней80,85руб.74,55руб.72,80руб.71,05руб.68,95руб.66,50руб.63,00руб.56,70руб.

Характеристики

IRF7317PBF, Транзисто, N/P-каналы 20B 6.6А/-5.3A [SO-8]The IRF7317PBF is a dual N/P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Fully avalanche rated

Дополнительная информация

Корпус

so8
Структура

n/p-канал